64-0190-30 FQP9N90C N-Channel MOSFET, 8 A, 900 V QFET, 3-Pin to-220AB บน Semiconductor FQP9N90C
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, 6A ถึง 10.9A, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด:8 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:900 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:205 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:166-1889
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0190-30 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQP9N90C | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 26,200
USD: 164.23
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|
