ON Semiconductor

64-0190-30 FQP9N90C N-Channel MOSFET, 8 A, 900 V QFET, 3-Pin to-220AB บน Semiconductor FQP9N90C

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, 6A ถึง 10.9A, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด:8 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:900 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.4 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
  • ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:205 W
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
  • รหัส:166-1889
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0190-30
หมายเลขแบบจําลอง FQP9N90C
ราคามาตรฐาน JPY: 26,200 USD: 164.23
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(50pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์