64-0189-91 [เลิกผลิตแล้ว]FQP10N20C N-Channel MOSFET, 9.5 A, 200 V QFET, 3-Pin to-220AB ใน Semiconductor FQP10N20C
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, 6A ถึง 10.9A, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:9.5 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:360 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220AB
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:72 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:395 pF @ 25 V
- รหัส:671-4998
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0189-91 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQP10N20C | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 700
USD: 4.36
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQP10N20C N-Channel MOSFET, 9.5 A, 200 V QFET, 3-Pin to-220AB ใน Semiconductor FQP10N20C](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0189/91/64018991.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)