64-0189-45 ［เลิกผลิตแล้ว］FQA4N30 N-Channel MOSFET, 43 A, 300 V QFET, 3-Pin to-3PN ใน Semiconductor FQA44N30
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, มากกว่า 31A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(30 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:43 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:300 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:69 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-3PN
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:145-4398
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0189-45 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQA44N30 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 18,830
USD: 118.03
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(30pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |