ON Semiconductor

64-0188-64 NDS0610 P-Channel MOSFET, 120 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Fairchild NDS0610

คุณลักษณะ

  • โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET บน Semiconductor บน Semiconductors ในช่วง P-Channel MOSFETS นั้นถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ที่มีราคาไม่แพง, ความหนาแน่นของเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดการต้านทานต่อสถานะเพื่อให้ประสิทธิภาพการทํางานทนทานและเชื่อถือได้สําหรับการสลับที่รวดเร็ว คุณลักษณะและคุณประโยชน์: ด้วยแรงดันไฟฟ้าควบคุม P-Channel สัญญาณขนาดเล็ก สวิตช์ High-Density cell design High-Station Superior switching Technology ประสิทธิภาพ DMOS ที่ทนทานและเชื่อถือได้ โปรแกรมประยุกต์: การสลับการโหลด DC/DC การป้องกันแบตเตอรี่ตัวแปลง Power Management ควบคุมมอเตอร์ DC

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(3000 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:120 mA
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
  • Ω:10
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
  • ประเภทแพคเกจ:SOT-23
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:360 mW
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • รหัส:169-8538
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0188-64
หมายเลขแบบจําลอง NDS0610
ราคามาตรฐาน JPY: 61,800 USD: 387.39
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(3000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์