64-0188-59 FQD7P20TM P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V, DPAK 3 พินบนตัวนํา FQD7P20TM
คุณลักษณะ
- โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET บน Semiconductor บน Semiconductors ในช่วง P-Channel MOSFETS นั้นถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ที่มีราคาไม่แพง, ความหนาแน่นของเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดการต้านทานต่อสถานะเพื่อให้ประสิทธิภาพการทํางานทนทานและเชื่อถือได้สําหรับการสลับที่รวดเร็ว คุณลักษณะและคุณประโยชน์: ด้วยแรงดันไฟฟ้าควบคุม P-Channel สัญญาณขนาดเล็ก สวิตช์ High-Density cell design High-Station Superior switching Technology ประสิทธิภาพ DMOS ที่ทนทานและเชื่อถือได้ โปรแกรมประยุกต์: การสลับการโหลด DC/DC การป้องกันแบตเตอรี่ตัวแปลง Power Management ควบคุมมอเตอร์ DC
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: ปัจจุบัน: 5.7 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:690 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:671-1034
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0188-59 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQD7P20TM | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,340
USD: 8.40
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|