ON Semiconductor

64-0188-48 [เลิกผลิตแล้ว]FQD19N10TM N-Channel MOSFET, 15.6 A, 100 V QFET, DPAK 3 พินบน Semiconductor FQD19N10TM

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, 11A ถึง 30A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(2500 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:15.6 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
  • แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:100 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
  • ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
  • เวลาหน่วงในการเปิดระบบโดยทั่วไป:7.5 ns
  • รหัส:166-2633
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0188-48
หมายเลขแบบจําลอง FQD19N10TM
ราคามาตรฐาน JPY: 126,700 USD: 794.21
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(2500pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -