64-0188-38 [เลิกผลิตแล้ว]FQB6N80TM N-Channel MOSFET, 5.8 A, 800 V QFET, D2PAK 3 พินบนตัวนํา FQB6N80TM
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, สูงถึง 5.9A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(800 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 5.8 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:800 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการลด:1.95 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.13 W
- วัสดุทรานซิสเตอร์:ใช่
- รหัส:166-2537
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0188-38 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQB6N80TM | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 118,370
USD: 741.99
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(800pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQB6N80TM N-Channel MOSFET, 5.8 A, 800 V QFET, D2PAK 3 พินบนตัวนํา FQB6N80TM](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0188/38/64018838.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)