ON Semiconductor

64-0188-22 [เลิกผลิตแล้ว]FQB44N10TM N-Channel MOSFET, 43 A, 100 V QFET, D2PAK 3 พินบนเซมิคอนดักเตอร์ FQB44N10TM

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, มากกว่า 31A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ชิ้น/ถุง
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:43 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:39 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
  • ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:3.75 W
  • ความยาว:10.67 มม.
  • หมายเลขรหัส:671-0895
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0188-22
หมายเลขแบบจําลอง FQB44N10TM
ราคามาตรฐาน JPY: 190 USD: 1.19
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1piece/bag
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -