64-0188-18 ［เลิกผลิตแล้ว］FQB33N10TM N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V QFET, D2PAK 3 พินบนเซมิคอนดักเตอร์ FQB33N10TM
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, มากกว่า 31A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(800 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:33 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:52 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.75 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:1150 pF@ 25 V
- รหัส:166-1752
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0188-18 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQB33N10TM | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 75,520
USD: 473.39
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(800pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |