ON Semiconductor

64-0188-06 [เลิกผลิตแล้ว]FDY100PZ P-Channel MOSFET, 350 mA, 20 V PowerTrench, 3-Pin SOT-523 บนเซมิคอนดักเตอร์ FDY100PZ

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:350 mA
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1.2 Ω
  • ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตขั้นต่ํา: 0.65V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOT-523 (SC-89)
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:625 mW
  • เวลาหน่วงในการปิดปกติ:8 ns
  • รหัส:671-0839
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0188-06
หมายเลขแบบจําลอง FDY100PZ
ราคามาตรฐาน JPY: 720 USD: 4.51
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(20pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -