64-0187-69 ［เลิกผลิตแล้ว］FDS6900AS Dual N-Channel MOSFET, 6.9 A, 8.2 A, 30 V PowerTrench, SyncFET, 8-Pin SOIC บน Semiconductor FDS6900AS
คุณลักษณะ
- PowerTrench® SyncFETTM Dual MOSFETTM, Fairchild Semiconductor ออกแบบมาเพื่อลดความสูญเสียในการแปลงพลังงาน ในขณะที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในการสลับเทคโนโลยีประสิทธิภาพสูง เพื่อให้ได้รับประโยชน์จาก RDS(on) SyncFETTM จากแอพพลิเคชั่นไดโอดตัวแบบ Schotky ที่มีประสิทธิภาพใน DC-DC Converter, ไดร์ฟสําหรับอุปกรณ์เชื่อมต่อ, จุดเชื่อมต่อเครือข่ายของการโหลดสวิตช์ด้านข้างต่ํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2500 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 6.9 A, 8.2 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:22 Ω นาที 27 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:166-2446
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0187-69 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDS6900AS | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 158,200
USD: 984.32
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2500pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |