ON Semiconductor

64-0187-36 FDN352AP P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V PowerTrench, 3-Pin SOT-23 ในตัวนํา FDN352AP

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(3000 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.3 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
  • แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:180 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.8V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, +25 V
  • ประเภทแพคเกจ:SOT-23
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:500 mW
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
  • รหัส:146-1962
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0187-36
หมายเลขแบบจําลอง FDN352AP
ราคามาตรฐาน JPY: 97,900 USD: 609.13
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(3000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์