ON Semiconductor

64-0186-62 FDMA910PZ P-Channel MOSFET, 9.4 A, 20 V PowerTrench, 6 พิน MLP บน Semiconductor FDMA910PZ

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(3000 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:9.4 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:34 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
  • ชนิดแพคเกจ:MLP
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:2.4 W
  • เวลาหน่วงในการปิดปกติ:135 ns
  • รหัส:166-2010
  •  
หมายเลขใบสั่ง 64-0186-62
หมายเลขแบบจําลอง FDMA910PZ
ราคามาตรฐาน JPY: 167,000 USD: 1,039.07
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(3000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์