64-0114-99 ［เลิกผลิตแล้ว］IRLML6302TRPBF P-Channel MOSFET, 780 mA, 20 V HEXFET, 3-Pin SOT-23 Infineon IRLML6302TRPBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 12V ถึง 20V, Infinion รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:780 mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:600 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพคเกจ:SOT-23
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:540 mW
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:97 pF @ 15 V
- รหัส:610-6851
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0114-99 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLML6302TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 240
USD: 1.51
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |