64-0114-97 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF7311PBF Dual N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7311PBF
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon MOSFET แบบใช้พลังงานคู่ของ Infinion ได้รวมอุปกรณ์ HEXFET® สองตัวเข้าด้วยกันเพื่อให้สามารถประหยัดเนื้อที่และประหยัดค่าใช้จ่ายได้ ด้วยการออกแบบความหนาแน่นที่มีส่วนประกอบของบอร์ดซึ่งมีพื้นที่เพียงพอ มีตัวเลือกหลากหลายของแพ็คเกจให้เลือกใช้และนักออกแบบสามารถเลือกรูปแบบการใช้งาน Dual N-channel ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ชิ้น/ถุง
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 6.6 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:29 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:38 ns
- รหัส:610-6687
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0114-97 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7311PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 110
USD: 0.69
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece/bag | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |