64-0105-78 [เลิกผลิตแล้ว]IRLR7821PBF N-Channel MOSFET, 65 A, 30 V HEXFET, DPAK 3 พิน IRLR7821PBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(75 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:65 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:10 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:75 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:1030 pF@ 15 V
- รหัส:166-0958
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0105-78 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLR7821PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,990
USD: 31.28
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(75pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRLR7821PBF N-Channel MOSFET, 65 A, 30 V HEXFET, DPAK 3 พิน IRLR7821PBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0105/78/64010578.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)