64-0105-52 ［เลิกผลิตแล้ว］IRLZ24NSPBF N-Channel MOSFET, 18 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRLZ24NSPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ชิ้น/ถุง
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:18 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด: 60 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.8 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:20 ns
- หมายเลขรหัส:543-0608
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0105-52 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLZ24NSPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 200
USD: 1.24
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece/bag | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |