64-0105-49 [เลิกผลิตแล้ว]IRL2910SPBF N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRL2910SPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ชิ้น/ถุง
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:55 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:26 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.8 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:49 ns
- รหัส:543-0377
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0105-49 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRL2910SPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 270
USD: 1.68
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece/bag | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRL2910SPBF N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRL2910SPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0105/49/64010549.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)