64-0105-10 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF9Z34NSPBF P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF9Z34NSPBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 40V ถึง 55V, Infinion รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:19 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:55 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:100 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:3.8 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:166-1028
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0105-10 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF9Z34NSPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,760
USD: 17.30
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |