64-0105-02 [เลิกผลิตแล้ว]IRF2807SPBF N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF2807SPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 60V ถึง 80V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:82 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:75 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:13 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:230 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:178-1453
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0105-02 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF2807SPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 9,880
USD: 61.47
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRF2807SPBF N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF2807SPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0105/02/64010502.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)