64-0103-86 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF7104PBF Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7104PBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 12V ถึง 20V, Infinion รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ชิ้น/ถุง
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน: 2.3 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:250 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2 W
- ขนาด:5 x 4 x 1.5 มม.
- รหัส:540-9626
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0103-86 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7104PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 110
USD: 0.68
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece/bag | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |