64-0042-23 [เลิกผลิตแล้ว]FQU2N60CTU N-Channel MOSFET, 1.9 A, 600 V QFET, IPAK 3-Pin บน Semiconductor FQU2N60CTU
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, สูงถึง 5.9A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:1.9 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:600 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:4.7 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ:IPAK (TO-251)
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.5 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:180 pF@ 25 V
- รหัส:671-5357
| หมายเลขใบสั่ง | 64-0042-23 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQU2N60CTU | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 520
USD: 3.24
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQU2N60CTU N-Channel MOSFET, 1.9 A, 600 V QFET, IPAK 3-Pin บน Semiconductor FQU2N60CTU](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0042/23/64004198.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)