63-9925-84 บน Semi 200V 200mA, Silicon Junction Diode, 2-Pin DO-35 1N485BTR 1N485BTR
คุณลักษณะ
- ตัวควบคุมการสลับสัญญาณขนาดเล็ก ในสารกึ่งตัวนํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(200 ชิ้น)
- ค่าสูงสุดต่อเนื่องระหว่างเวลา:200mA
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:200V
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- ประเภทแพคเกจ:DO-35
- เทคโนโลยีไดโอด:รอยต่อซิลิคอน
- จํานวนพิน: 2
- การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ:1V
- เส้นผ่านศูนย์กลาง:1.91 มม.
- กระแสกระแสกระแสกระแสไฟฟ้าไปข้างหน้าสูงสุด:4A
- รหัส:805-1006
| หมายเลขใบสั่ง | 63-9925-84 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | 1N485BTR | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,050
USD: 12.85
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(200pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|