63-9917-59 บน Semi 20V 1A, Schottky Diode, 2 พิน DO-214AC MBRA120ET3G MBRA120ET3G
คุณลักษณะ
- ผลิตภัณฑ์ที่มี NSV-, SBR- หรือ S-prefixed Manufacturer Nos เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีคุณสมบัติทางรถยนต์ AEC-Q101 ใน Semiconductor Schottky Barrier Diodes บน Semiconductor Schottky power rectifier นี้ใช้หลักการ Schottky proced ที่ใช้โลหะกั้นเพื่อสร้างการแลกเปลี่ยนกระแสไฟฟ้าที่ดีที่สุด เหมาะสําหรับแรงดันไฟฟ้าต่ํา การปรับความถี่สูง รวมทั้งไดโอดป้องกันไฟฟ้าและความเป็นปึกแผ่นในการใช้งาน Surface Mount ในทุกที่ที่มีขนาดกะทัดรัดและน้ําหนักมากขึ้นคือกุญแจสําคัญ Pb-Free ได้รับการออกแบบมาเพื่อการปรับแต่งส่วนประกอบบอร์ดอัตโนมัติเพื่อช่วยป้องกันความเข้มงวดของ Epoxy Molded Case Lightweight 11.7mg แพกเกจ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(5000 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด: Single
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:20V
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ประเภทแพ็คเกจ:DO-214AC (SMA)
- เทคโนโลยีไดโอด:Schottky
- จํานวนพิน: 2
- กระแสกระแสไฟฟ้าล่วงหน้าไม่ตรงสุดยอด:40A
- รหัส:163-2445
| หมายเลขใบสั่ง | 63-9917-59 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MBRA120ET3G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 126,000
USD: 789.82
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(5000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|