63-9878-85 ZXMS6004DT8TA Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V IntelliFET, 8-Pin SM Diodes Inc. ZXMS6004DT8TA
คุณลักษณะ
- IntelliFET MOSFET ที่ได้รับการป้องกันด้วยตนเอง, ไดโอด อิงค์. IntelliFET เป็น MOSFET ที่ได้รับการป้องกันตัวเอง ซึ่งรวมอาร์เรย์ของวงจรป้องกันที่สมบูรณ์เข้าไว้ด้วยกันซึ่งป้องกัน ESD (อุปกรณ์ตอบสนองคลื่นไฟฟ้าสถิต), ไฟฟ้าเกินกระแสไฟฟ้า และอุณหภูมิเกิน การป้องกันวงจรสั้นด้วยการเริ่มการทํางานใหม่อัตโนมัติผ่านการป้องกันแรงดันไฟฟ้า (แคลมป์ที่ใช้งานอยู่) ผ่านการป้องกันการป้อนข้อมูล (ESD) ที่มีความต่อเนื่องสูง การป้อนข้อมูลในระดับ Logic ของการป้องกันการถ่ายโอนข้อมูลการถ่ายโอนข้อมูลของการถ่ายโอนข้อมูลในปัจจุบัน
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:1.2 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:600 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.5V
- ชนิดแพ็คเกจ:SM
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:2.13 W
- เวลาหน่วงในการปิดทั่วไป:45000 ns
- รหัส:738-5200
| หมายเลขใบสั่ง | 63-9878-85 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | ZXMS6004DT8TA | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,560
USD: 9.71
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|