63-9855-95 IXYS 800V 165A, Dual Silicon Junction Diode, 3-Pin Y4 M6 MDD142-08N1B MDD142-08N1B
คุณลักษณะ
- ส่วนประกอบ UL ที่รู้จัก MDD Series Dual Diode Modules, Ixys
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- การกําหนดค่าไดโอด:ชุดข้อมูล
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:800V
- ชนิดการเมานท์:แผงการเมานท์
- ประเภทแพคเกจ:Y4 M6
- เทคโนโลยีไดโอด:รอยต่อซิลิคอน
- จํานวนหมุด: 3
- การปล่อยแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ:1.3V
- กระแสไฟฟ้ากระแสสูงแบบไม่ซ้ําซ้อนสูงสุด:4.7kA
- รหัส:668-7111
| หมายเลขใบสั่ง | 63-9855-95 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MDD142-08N1B | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 27,700
USD: 172.35
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|