ON Semiconductor

63-9812-31 NVMFD5C46NLT1G Dual N-Channel MOSFET, 145 A, 40 V NVMFD5C46NL, 8-Pin DFN บน Semiconductor NVMFD5C446NLT1G

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:145 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:3.9 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.2V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
  • ±: 20 V
  • ชนิดแพคเกจ:DFN
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 8
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:125 W
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • รหัส:172-3377
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-9812-31
หมายเลขแบบจําลอง NVMFD5C446NLT1G
ราคามาตรฐาน JPY: 6,800 USD: 42.63
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์