63-8415-53 Sir680DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V TrenchFET, SO Vishay 8 พิน SIR680DP-T1-RE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:100 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:80 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:3.4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:104 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:134-9727
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8415-53 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIR680DP-T1-RE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,300
USD: 8.15
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|