63-8415-52 Sir668DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V TrenchFET, SO Vishay 8 พิน SIR668DP-T1-RE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:65 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:5.05 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:104 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:134-9725
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8415-52 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIR668DP-T1-RE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 610
USD: 3.82
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|