63-8415-49 ［เลิกผลิตแล้ว］Sir158DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin SO Vishay SIR158DP-T1-RE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, TrenchFET สูงถึง Gen III, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:60 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:2.3 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:83 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:47 ns
- รหัส:134-9718
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8415-49 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIR158DP-T1-RE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,070
USD: 6.66
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |