63-8415-46 ［เลิกผลิตแล้ว］SQJB42EP-T1_GE3 Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V TrenchFET, SO Vishay 8 พิน SQJB42EP-T1_GE3
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 30 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:16 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:SO
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:48 W
- ขนาด:6.25 x 5.26 x 1.12 มม.
- รหัส:134-9711
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8415-46 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SQJB42EP-T1_GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 650
USD: 4.07
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |