63-8400-16 [เลิกผลิตแล้ว]IRLR3110ZTRLPBF N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRLR3110ZTRLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:63 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:16 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-16 V, +16 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:140 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:168-6033
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8400-16 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLR3110ZTRLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 292,000
USD: 1,830.38
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRLR3110ZTRLPBF N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRLR3110ZTRLPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8400/16/63840016.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)