63-8400-01 IRFS4510TRLPBF N-Channel MOSFET, 61 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRFS4510TRLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(800 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:61 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:13.9 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ประเภทแพคเกจ:D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:140 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:168-6018
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8400-01 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFS4510TRLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 184,000
USD: 1,144.85
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(800pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|