63-8399-48 [เลิกผลิตแล้ว]IRF7739L1TRPBF N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V DirectFET, HEXFET, 9 + แท็บ-Pin L8 Infineon IRF7739L1TRPBF
คุณลักษณะ
- DirectFET® Power MOSFET, อินฟินิออน แพ็คเกจ DirectFET® คือเทคโนโลยีแพ็คเกจ Surface-Mount power MOSFET DirectFET® MOSFET® เป็นวิธีแก้ไขปัญหาเพื่อลดความสูญเสียทางพลังงานในขณะที่ลดการใช้ทรัพยากรการออกแบบในโปรแกรมประยุกต์การสลับขั้นสูง การต้านทานต่ําที่สุดในอุตสาหกรรมตามรอยเท้าที่อยู่ต่ํามากในการลดความสูญเสียที่เกิดจากการนําไฟฟ้าสองด้านที่มีประสิทธิภาพสูง ทําให้ความหนาแน่นของพลังงาน ต้นทุน และความน่าเชื่อถือต่ํากว่า 0.7 มม.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(4000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:270 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:1 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:L8
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 9 + แท็บ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:125 W
- การโอนแบบไปข้างหน้า: 280S
- รหัส:168-5964
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8399-48 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7739L1TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,131,000
USD: 7,037.08
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(4000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRF7739L1TRPBF N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V DirectFET, HEXFET, 9 + แท็บ-Pin L8 Infineon IRF7739L1TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8399/48/63839948.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)