63-8399-33 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF100B202 N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V HEXFET, 3 + Tab-Pin to-220 Infineon IRF100B202
คุณลักษณะ
- StrongIRFETTM Power MOSFET, Infineon ตระกูล StrongIRFET ของอินฟินีออนได้รับการปรับแต่งสําหรับ R DS (on) ต่ําและความสามารถในกระแสสูง พอร์ตโครงการนี้มอบประตูที่พัฒนาขึ้น สนามบิน และความพรั่งพรูของ dv/dt แบบไดนามิก ซึ่งเหมาะสําหรับแอพพลิเคชั่นที่มีความถี่ต่ําของอุตสาหกรรมซึ่งรวมถึงไดร์ฟมอเตอร์ เครื่องมือจ่ายไฟ อุปกรณ์กลับตัว และการจัดการแบตเตอรี่ซึ่งจําเป็นต่อประสิทธิภาพและความทนทาน
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:97 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:8.6 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:221 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้งานโดยทั่วไป:11 ns
- รหัส:168-5946
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8399-33 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF100B202 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 8,770
USD: 54.57
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |