63-8399-18 [เลิกผลิตแล้ว]IPN50R950CEATMA1 N-Channel MOSFET, 6.6 A, 550 V CoolMOS CE, 3 + แท็บ-Pin SOT-223 Infineon IPN50R950CEATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOSTM CE Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 6.6 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:550 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:950 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-223
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 5 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:7 ns
- รหัส:168-5927
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8399-18 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPN50R950CEATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 81,480
USD: 506.97
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IPN50R950CEATMA1 N-Channel MOSFET, 6.6 A, 550 V CoolMOS CE, 3 + แท็บ-Pin SOT-223 Infineon IPN50R950CEATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8399/18/63839918.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)