63-8353-18 SIGH20N50E-GE3 N-Channel MOSFET, 19 A, 500 V E Series, 3-Pin to-247AC Vishay SIHG20N50E-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor E Series Power MOSFET จาก Vishay เป็นทรานซิสเตอร์แรงดันไฟฟ้าสูงที่มีคุณลักษณะความต้านทานต่ํามาก ปรับลดความต้านทานสูงสุด ปรับลดความสามารถในการทํางานต่ํา และการสลับความเร็วได้อย่างรวดเร็ว ซึ่ง มี อยู่ ใน ระดับ การ จัด อันดับ ปัจจุบัน ที่ หลากหลาย แอพพลิเคชั่นทั่วไปจะประกอบด้วยเซิร์ฟเวอร์และพาวเวอร์ซัพพลายของโทรคมนาคม, แสงไฟ LED, ตัวแปลงแบบฟลายแบ็ค, การแก้ไข Power Factor (PFC) และพาวเวอร์ซัพพลายของโหมดสวิตช์ (SMPS) คุณลักษณะ จํานวนต่ํา (FOM) RDS(on) x Qg ความจุอินพุทต่ํา (Cis) อัตราต่อต้าน (RDS(on)) อัตราการชาร์จเกตต่ํามาก (Qg) ลดการสลับเปลี่ยนและการสูญเสียการนําไฟฟ้าอย่างรวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:19 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:500 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:180 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
- แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพ็คเกจ:TO-247AC
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:179 W
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
- รหัส:169-5791
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8353-18 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIHG20N50E-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 13,100
USD: 82.12
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(25pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|