63-8348-60 ［เลิกผลิตแล้ว］IPD220N06L3GBTMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V OptiMOS 3, DPAK Infineon 3 พิน IPD220N06L3GBTMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 60 ถึง 80V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 30 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:39.8 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:36 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- รหัส:166-1092
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8348-60 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPD220N06L3GBTMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 101,150
USD: 629.36
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(2500pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |