ON Semiconductor

63-8332-02 บนตัวนํา ESD5Z2.5T1G, ไดโอด, 120W, 2 พิน SOD-523 ESD5Z2.5T1G

คุณลักษณะ

  • 240W Transitor Voltage Suppressor Diode ชั่วคราวสําหรับการป้องกัน ESD บน Semiconductor ESD5Z series คือตัวสนับสนุนแรงดันไฟฟ้าแบบชั่วคราวที่ออกแบบมาเพื่อป้องกันส่วนประกอบที่คํานึงถึงแรงดันไฟฟ้าจาก ESD และเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าชั่วคราว อุปกรณ์นี้มีความสามารถในการจํากัดที่ยอดเยี่ยมซึ่งเป็นเวลาตอบสนองที่รวดเร็วและมีการรั่วไหลที่ต่ําซึ่งเหมาะสําหรับการป้องกัน ESD ขนาดที่กะทัดรัดของขนาดนี้เหมาะสําหรับประหยัดเนื้อที่บนบอร์ดในราคาพิเศษ แอปพลิเคชัน อุปกรณ์พกพา - โทรศัพท์มือถือ - กล้องดิจิตอล - อุปกรณ์จ่ายไฟ มาตรฐาน - การป้องกัน EFT ระดับ IEC61000-4-2 ระดับ 4 - IEC61000-4-4-4 - การป้องกัน EFT ระดับ ESD

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(100 ชิ้น)
  • การกําหนดค่าไดโอด: Single
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้า:10.9V
  • แรงดันไฟฟ้าต่ําสุดที่แบ่งได้:4V
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOD-523
  • ค่าแรงดันไฟฟ้ากลับสูงสุด:2.5V
  • จํานวนพิน: 2
  • การกระจายพลังงานสูงสุดของชีพจรสูง:120W
  • ชีพจรสูงสุดสูงสุดในปัจจุบัน:11A
  • การป้องกัน ESD:ใช่
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
  • ความกว้าง:0.9มม.
  • รหัส:786-2909
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-8332-02
หมายเลขแบบจําลอง ESD5Z2.5T1G
ราคามาตรฐาน JPY: 760 USD: 4.77
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(100pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์