63-8331-72 Nexpersia 40V 120mA, Schottky Diode, 2 พิน I-IGIA 1PS79SB40,115 1PS79SB40,115
คุณลักษณะ
- Schottky Barrier Diodes, สูงถึง 120mA, Nexpersia แพ็คเกจ Surface-Mount ที่มีประสิทธิภาพสูง ขนาดเล็กมาก โปรไฟล์ต่ํา ปรับแต่งเพื่อให้แรงดันไฟฟ้าต่ําลง และอุณหภูมิสูงในการเชื่อมต่อต่ํา การสลับพลังงานต่ํา ขาดกระแสไฟฟ้าต่ําทําให้กระแสไฟฟ้าน้อยเกินพิกัด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด: Single
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด:40V
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- ชนิดแพคเกจ:I-IGIA
- เทคโนโลยีไดโอด:Schottky
- จํานวนพิน: 2
- กระแสไฟฟ้าล่วงหน้าสูงสุดไม่เกิน 200mA
- รหัส:166-1395
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8331-72 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | 1PS79SB40,115 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 37,700
USD: 234.57
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|