63-8317-15 [เลิกผลิตแล้ว]IRLHS6242TRPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 20 V HEXFET, 7-Pin PQFN Infineon IRLHS6242TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 12V ถึง 25V, Infinion การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:10 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:15.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ชนิดแพคเกจ:PQFN
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 7
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.98 W
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds:110 pF@ 10 V
- รหัส:737-7256
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8317-15 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLHS6242TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 650
USD: 4.04
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(10pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRLHS6242TRPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 20 V HEXFET, 7-Pin PQFN Infineon IRLHS6242TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8317/15/63831708.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)