63-8312-39 [เลิกผลิตแล้ว]IRF7509TRPBF Dual N/P-Channel MOSFET, 2 A, 2.7 A, 30 V HEXFET, 8-Pin MSOP Infineon IRF7509TRPBF
คุณลักษณะ
- Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon MOSFET แบบใช้พลังงานคู่ของ Infinion ได้รวมอุปกรณ์ HEXFET® สองตัวเข้าด้วยกันเพื่อให้สามารถประหยัดเนื้อที่และประหยัดค่าใช้จ่ายได้ ด้วยการออกแบบความหนาแน่นที่มีส่วนประกอบของบอร์ดซึ่งมีพื้นที่เพียงพอ ตัวเลือกหลากหลายของแพ็คเกจมีให้และนักออกแบบสามารถเลือกการใช้งาน Dual N/P-channel
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(4000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:N, P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: A, 2.7 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:110 mΩ, 200 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:MSOP
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.25 W
- วัสดุทรานซิสเตอร์:ใช่
- รหัส:166-0907
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8312-39 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7509TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 259,000
USD: 1,611.50
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(4000pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRF7509TRPBF Dual N/P-Channel MOSFET, 2 A, 2.7 A, 30 V HEXFET, 8-Pin MSOP Infineon IRF7509TRPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8312/39/63831239.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)