63-8300-94 IXFN100N50Q3 N-Channel MOSFET, 82 A, 500 V HiperFET, Q3-Class, 4-Pin SOT-227B IXYS IXFN100N50Q3
คุณลักษณะ
- N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFETTM Q3 Series IXYS Q3 ประเภทของ HiperFETTM Power MOSFET เหมาะสําหรับทั้งการใช้งานโหมดสลับการทํางานและตอบสนอง และมีค่าใช้จ่ายในเกตต่ําด้วยความหยาบช้า อุปกรณ์ดังกล่าวประกอบด้วยไดโอดภายในอย่างรวดเร็ว และมีให้ในแพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมที่หลากหลาย รวมถึงประเภทที่แยกตัวออกมา ด้วยอันดับสูงถึง 1100V และ 70A แอพพลิเคชั่นทั่วไปจะประกอบด้วยตัวแปลง DC-DC, ชาร์จแบตเตอรี่, โหมดสวิตช์ และพาวเวอร์ซัพพลายแบบรีซอนต์โหมด, เครื่อง DC อุณหภูมิ และการควบคุมแสง ตัวระบุ diode rds(on) และ QG (gate charge) แบบอินทรินสิกเกตต่ํา แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมการต้านทานแรงดันไฟฟ้าในแพ็คเกจต่ํา ความหนาแน่นสูง
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:82 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:500 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:49 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 6.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-30 V, +30 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-227B
- ชนิดการเมานท์:แผงการเมานท์
- จํานวนพิน: 4
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:960 W
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้โดยทั่วไป:40 ns
- รหัส:804-7565
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8300-94 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IXFN100N50Q3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 12,500
USD: 78.36
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|