ON Semiconductor

63-8298-95 FDP4D5N10C N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 บน Semiconductor FDP4D5N10C

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:128 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
  • แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.5 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • ±: 20 V
  • ชนิดแพคเกจ:TO-220
  • ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
  • จํานวนหมุด: 3
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:150 W
  • ความยาว:10.36 มม.
  • รหัส:181-1903
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-8298-95
หมายเลขแบบจําลอง FDP4D5N10C
ราคามาตรฐาน JPY: 1,960 USD: 12.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(2pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์