ON Semiconductor

63-8298-92 FDMS86181 N-Channel MOSFET, 124 A, 100 V, 8 พิน PQFN บน Semiconductor FDMS86181

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:124 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:12 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • ±: 20 V
  • ชนิดแพคเกจ:PQFN
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนหมุด: 8
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:125 W
  • อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน:-55°ซ.
  • หมายเลขรหัส:181-1895
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-8298-92
หมายเลขแบบจําลอง FDMS86181
ราคามาตรฐาน JPY: 3,200 USD: 20.06
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(5pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์