63-8220-62 ［เลิกผลิตแล้ว］SiDR622DP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 64.6 A, 150 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix SiDR622DP-T1-GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:64.6 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:150 V
- แหล่งที่มาของการดูดซึมสูงสุด:20 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- ±: 20 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SO-8
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:125 W
- การส่งผ่านภาพนิ่ง: 33S
- รหัส:178-3946
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8220-62 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SiDR622DP-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,040
USD: 12.79
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |