63-8220-58 SQS966ENW-T1_GE3 Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V TrenchFET, 8 พิน 1212 วิเชย์ ซิลิโคนิกซ์ SQS966ENW-T1_GE3
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 6 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:60 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด: 60 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.5V
- ±: 20 V
- ชนิดแพคเกจ:1212
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 8
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:27.8 W
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+175°ซ.
- รหัส:178-3851
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8220-58 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SQS966ENW-T1_GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 4,220
USD: 26.45
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|