63-8166-09 ［เลิกผลิตแล้ว］SI3499DV-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 3.9 A, 8 V, TSOP Vishay 6 พิน SI3499DV-T1-GE3
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET, 8V ถึง 20V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 3.9 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:8 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:48 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตขั้นต่ํา: 0.35V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-5 V, +5 V
- ชนิดแพคเกจ:TSOP
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:1.1 W
- ความยาว:3.1 มม.
- รหัส:170-8323
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8166-09 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI3499DV-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 372,000
USD: 2,314.58
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |