ON Semiconductor

63-8117-84 FDC6306P Dual P-Channel MOSFET, 1.9 A, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 บน Semiconductor FDC6306P

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:1.9 A
  • ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:270 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
  • ประเภทแพคเกจ:SOT-23
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน: 6
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:960 mW
  • ความกว้าง:1.7มม.
  • รหัส:166-2972
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-8117-84
หมายเลขแบบจําลอง FDC6306P
ราคามาตรฐาน JPY: 141,000 USD: 883.85
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(3000pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์