63-8116-59 PMGD290XN,115 Dual N-Channel MOSFET, 860 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Nexpersion PMGD290XN,115
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, Nexpersia
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:860 mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- แหล่งที่มาของการต้านทานสูงสุด:350 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-88)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:410 mW
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:725-8394
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8116-59 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | PMGD290XN,115 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,330
USD: 8.34
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|